摘要：SK海力士于2026年1月14日明确否认了关于其计划退出消费级存储器（DRAM/NAND）业务的传闻，表示公司目前并未探讨或规划退出该事业。与此同时，公司宣布将投资约129亿美元（19万亿韩元）在韩国清州市建设一座先进封装工厂，以应对AI领域对高带宽内存（HBM）快速增长的需求，该工厂计划于2027年底投产。
线索：尽管官方否认退出，但SK海力士的战略重心向高利润的AI存储（如HBM）倾斜是明确趋势。这暗示其消费级业务的战略优先级可能降低，未来相关产能分配与长期支持力度存在不确定性。对于依赖其芯片的OEM厂商和第三方存储品牌而言，需关注潜在的供应链集中风险与技术依赖风险。另一方面，公司在HBM及先进封装领域的大规模投资，巩固了其在AI基础设施关键环节的领导者地位，构成了长期的核心竞争力。
正文：2026年1月14日，针对市场传闻SK海力士计划退出消费级DRAM和NAND业务，公司正式回应称，目前并未有探讨或规划退出消费者用产品事业的计划。此前有消息称，SK海力士可能效仿美光（美光已于2025年底宣布关停其消费级品牌英睿达），将产能从利润相对较低的消费级市场撤出。
与美光拥有自有品牌不同，SK海力士并不直接以品牌形式销售内存和存储产品，但其生产的芯片是众多消费级设备及第三方品牌内存/固态硬盘的核心组件。有分析指出，若其未来切断供应，部分OEM厂商和存储品牌将面临供应链挑战。
在回应传闻的同时，SK海力士强调了其对人工智能领域的资源倾斜。公司已于近期宣布，计划投资19万亿韩元（约合129亿美元）在韩国清州市新建一座先进封装工厂。该工厂旨在提升高带宽内存（HBM）的产能，以应对AI处理器带来的旺盛需求。SK海力士目前是HBM市场的主要供应商，该技术是英伟达等公司AI芯片的关键组成部分。新工厂建设预计于2026年4月启动，目标在2027年底完工投产，届时将显著增强其将多个存储芯片集成至单一高密度单元的能力。
发布时间：2026-01-14 17:40
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