摘要：韩国芯片制造商SK海力士宣布，将投资19万亿韩元（约合130亿美元或1011亿港元）在韩国清州市建设一座新的先进封装晶圆厂。该工厂计划于2026年4月动工，目标在2027年底完工，旨在扩大高性能存储芯片产能，以满足人工智能（AI）领域激增的需求。公司援引行业预测称，2025至2030年间，高带宽内存（HBM）市场的复合年增长率预计将达到33%。另有分析指出，本季度包括HBM在内的DRAM内存平均价格可能较上一季度大幅上涨50%至55%。
线索：
* 投资机会：此次超千亿投资凸显了SK海力士对AI驱动的高性能存储市场长期增长的坚定信心。作为英伟达HBM的主要供应商，其扩产有助于巩固在AI芯片供应链中的关键地位，并可能直接受益于HBM市场的爆发式增长和DRAM价格的强劲上涨。有分析师预计其季度营业利润将创下纪录。
* 潜在风险：巨额资本支出带来财务压力，且项目成功依赖于AI需求的持续性与强度。激烈的行业竞争（如三星电子同样在增加HBM产能）可能影响未来定价权和市场份额。此外，半导体行业具有周期性，若需求不及预期或技术路线发生变化，可能面临产能过剩风险。
正文：
SK海力士宣布，将投资19万亿韩元在韩国忠清北道清州市建设一座专注于先进封装技术的新晶圆厂。该投资折合约130亿美元或1011亿港元。新工厂的建设计划于2026年4月开始，目标是在2027年底前完工并投入运营。
该工厂将致力于先进封装业务，其核心技术涉及将多个存储芯片集成到一个高密度单元中，旨在提升芯片性能、能源效率并缩小整体尺寸。SK海力士表示，此项投资是为了应对人工智能相关需求持续增长，特别是对高带宽内存（HBM）的需求。该公司引用产业预测指出，从2025年到2030年，HBM市场预计将以33%的复合年增长率扩张。
SK海力士是全球主要的存储芯片制造商之一，并且在HBM市场处于领先地位。HBM是AI处理器（如英伟达设计的产品）中的关键组件。随着市场需求增长，HBM及相关内存产品的价格也显著上升。有市场研究机构预计，本季度包括HBM在内的动态随机存取存储器（DRAM）的平均售价，将比2025年第四季度上涨50%至55%。
有分析师发布报告称，SK海力士可能继续受益于一个可能持续数年的“存储芯片超级周期”，动力来自于强劲的AI投资所支撑的HBM出货量，以及对传统DRAM芯片的稳健需求。该分析师预计，SK海力士2025年第四季度（10-12月）的营业利润可能环比飙升57%，达到创纪录的18万亿韩元，部分原因是DRAM和NAND闪存芯片价格的上涨，以及韩元兑美元汇率的走弱。该公司预计将于本月晚些时候公布正式财报。
在股价方面，在2026年初至今上涨约12%-13%后，SK海力士股价在宣布投资计划的当日曾出现小幅下跌。
发布时间：2026-01-13 08:52:04
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