摘要：美光科技宣布将于2026年1月16日在美国纽约州动工建设一个总投资约1000亿美元的巨型晶圆厂综合体，这是该州历史上最大的私人投资项目。该项目计划建设多达四个工厂，旨在打造全球最先进的存储芯片制造中心，以满足人工智能需求。首厂计划于2030年投产，预计到2045年全部建成时将创造约9000个工作岗位。根据2025年第三季度数据，美光在全球HBM市场营收份额为21%（排名第三），在整个DRAM市场占26%（排名第三）。公司计划将美国制造的尖端DRAM产量提升至全球的40%，并有望借此成为全球第一大存储公司。其最新财报显示营收与利润均大幅增长，且下一财季营收指引远超市场预期。
线索：
* 投资机会：
1. AI需求驱动：项目直接瞄准人工智能系统对高性能存储（如HBM）的爆炸性需求，市场增长前景明确。
2. 政策与资金支持：该项目获得了美国《芯片法案》下55亿美元的税收优惠，政府支持降低了部分资本开支压力，并明确了其提升美国本土制造份额的战略意图。
3. 财务与增长势头：公司近期财报表现强劲，营收和利润同比大幅增长，且对未来季度的营收指引远超市场预期，显示出强大的基本面和业务增长动能。
4. 市场份额跃升潜力：若其“将美国制造DRAM产量提至全球40%”的战略目标实现，有望从当前行业第三跃升为全球第一，带来巨大的市值想象空间。
* 潜在风险：
1. 超长建设与达产周期：从动工到首厂投产（2030年）间隔约4年，全部建成更需近20年（至2045年）。其间市场环境、技术路线可能发生重大变化，存在不确定性。
2. 激烈的行业竞争：目前HBM和DRAM市场由SK海力士和三星电子主导，两者合计占据约80%的HBM份额。美光需持续进行高强度技术研发和产能爬坡，以追赶并实现市场份额目标，竞争压力巨大。
3. 技术迭代风险：存储芯片技术迭代迅速，工厂建设期间需确保其规划的技术路线在投产时仍具领先性，否则可能面临投产即落后的风险。
正文：
存储芯片制造商美光科技宣布，其位于美国纽约州的巨型晶圆厂项目将于2026年1月16日下午正式破土动工。在完成严格的环境审查和获得必要许可后，基地与施工准备工作已就绪。
该项目总投资约1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目。美光科技表示，该制造中心将建设成为全球最先进的存储半导体生产基地，规划包含多达四个晶圆厂，旨在满足人工智能系统日益增长的需求。
该建厂计划最初于2022年10月公布，原定2024年中期开工。因环境评估审查流程，工期推迟了约一年半。根据计划，美光将在2026年3月31日前完成场地清理，随后进行铁路支线建设和湿地平整工作。按照最新时间表，纽约州的首个工厂预计在2030年投入运营，第二家工厂计划在2033年开业。至2045年第四家工厂建成时，预计将总共创造约9000个工作岗位。
公司首席执行官表示，在人工智能时代，领先的半导体制造能力是创新与经济繁荣的基石，此项投资将巩固其作为美国唯一存储器制造商的地位。此项投资决策亦与美国《芯片法案》提供的55亿美元税收优惠相关。美光将此项目描述为一项战略举措，目标是在未来十年内将美国本土生产的尖端DRAM芯片产量提升至全球总产量的40%。
市场研究机构数据显示，在2025年第三季度，美光在全球高带宽内存（HBM）市场的营收份额为21%，位列第三，排在SK海力士（57%）和三星电子（22%）之后。在包含HBM在内的整个DRAM市场中，同期市场份额排名为：SK海力士（34%）、三星电子（33%）、美光（26%）。如果美光能实现其提升市场份额的战略目标，则有望跃升为全球最大的存储芯片公司。
财务表现方面，美光科技公布的2026财年第一财季业绩显示，其调整后营收为136.4亿美元，同比增长57%，高于市场预期；经调整净利润为54.82亿美元，去年同期为34.69亿美元；调整后每股收益为4.78美元，大幅超过市场预期。公司预计第二财季营收将达到187亿美元（上下浮动4亿美元），该指引远超市场普遍预期。公司首席执行官指出，第一季度在所有业务部门均实现了创纪录的营收和显著的利润率扩张，人工智能数据中心容量的增长正驱动对高性能内存和存储解决方案的强劲需求。
发布时间：2026年1月11日 17:40
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