摘要：随着SK海力士将其HBM4专用工厂M15X的量产计划提前至2025年2月，下一代高带宽存储器（HBM4）的市场竞争已正式开启。三星电子的HBM4产品在英伟达的测试中取得最佳表现，并获得其供应认可，计划于2025年第二季度开始供货。美光则计划在2026年第二财季实现HBM4的量产。市场方面，英伟达搭载HBM4的Vera Rubin 200平台预计于2025年第四季度出货，其GB300 AI服务器机柜在2025年的出货量预计同比增长129%至5.5万台。行业预测2026年DRAM位增长率或将达到26%，资本开支将向HBM/DRAM领域集中。
线索：
* 竞争格局与风险：SK海力士虽目前以57%的市占率保持HBM市场领先，但三星在HBM4阶段取得技术认可并获英伟达大量订单，可能动摇现有格局。美光的加入使竞争更趋激烈，未来市场份额分配存变数，相关厂商的股价可能因此波动。
* 技术与供应链机会：HBM4的技术竞赛核心在于运行速度与功耗效率。三星在此轮领先，显示了其技术突破潜力。对上游设备商而言，HBM扩产将直接带动批量原子层沉积（Batch ALD）设备、测试设备及先进封装设备的需求增长。
* 资本开支与周期风险：2026年三大存储巨头的资本开支预计聚焦HBM/DRAM，可能推动行业进入新的产能扩张周期。尽管TrendForce预测2026年DRAM需求增长强劲，但需警惕大规模资本投入在远期可能带来的产能过剩风险，以及AI服务器需求能否持续支撑高增长。
正文：
在HBM3E产品价格持续上涨的背景下，全球主要存储制造商已围绕下一代高带宽存储器HBM4展开了新一轮的产能与技术竞赛。
SK海力士已将其位于韩国清州的M15X工厂的量产计划提前了四个月。该工厂被称为“HBM4专用工厂”，计划于2025年2月开始量产用于HBM4的1b纳米制程DRAM晶圆。初期规划产能约为每月1万片，预计到2025年底将提升至数万片。目前，设备投入和安装工作正在进行中。SK海力士已完成该工厂早期投产的技术准备，包括1b HBM4工艺的认证。其采用改进型电路的HBM4晶圆将于2024年12月底完成制造，并计划于2025年1月初向英伟达交付下一代12层堆叠HBM4内存的最终样品。
与此同时，英伟达下一代AI平台Vera Rubin 200的出货预期变得明确。该平台将搭载HBM4内存，预计于2025年第四季度开始出货。市场预测显示，英伟达GB300 AI服务器机柜在2025年的出货量有望达到5.5万台，较上年同期增长129%。部分下游制造商的订单能见度已延续至2027年。
目前，SK海力士在全球HBM市场占据领先地位。市场调研数据显示，2024年第三季度，SK海力士在全球HBM营收中的市占率为57%，三星电子与美光科技的市占率分别为22%和21%。
然而，这一格局可能面临变化。近期信息显示，三星电子的HBM4产品在英伟达进行的系统级封装（SiP）测试中，于运行速度与功耗效率两项核心指标上取得了所有参测厂商中的最佳表现。基于此测试结果，英伟达已认可三星电子的HBM4供应资格，并且其要求的2025年供应量超出了三星内部的原有预测。三星电子计划在2025年第一季度正式签订供应合同，并从第二季度开始正式供货。公司内部表示，在HBM4的开发上处于领先地位。
另一方面，美光科技也公布了其HBM4的进展。根据其最新财报，美光的HBM4产品计划在2026年第二财季（对应2025年12月至2026年2月）按计划量产，并实现高良率下的产能爬坡。该产品在基础逻辑芯片和DRAM核心芯片上均采用了由美光自主设计与制造的先进CMOS及金属化工艺技术。
行业分析指出，2026年全球三大存储制造企业的资本开支或将集中在HBM与DRAM领域。根据预测，2026年全球DRAM存储容量的位增长率可能达到26%。这预示着存储行业可能进入一个新的增长周期，但会呈现结构性分化的特征，其中与HBM制造相关的批量原子层沉积设备、测试设备以及先进封装加工设备的市场需求有望获得显著增长。
发布时间：2025年12月27日 18:34:01
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