摘要：美光公司2026财年第一季度业绩远超市场预期，单季营收达136.4亿美元，调整后每股收益为4.78美元。业绩增长主要由人工智能（AI）需求驱动，特别是高带宽内存（HBM）和数据中心固态硬盘（SSD）。公司上调了资本开支计划，并指出存储行业正经历由AI驱动的结构性复苏，供需紧张态势预计将持续。同时，韩国三星和SK海力士的存储业务毛利率也有望提升。未来行业增长将取决于后续业绩兑现、产能释放进度以及长期的供需平衡。
线索：
* 投资机会：AI算力基础设施建设催生了存储芯片的“吞噬式”新需求，特别是用于AI服务器的HBM和高性能数据中心SSD，市场增长明确且迅速。行业龙头公司因技术领先和产能锁定，有望持续受益于产品价格上涨和利润率扩张。存储市场可能正进入一个由企业级资本开支驱动的、有别于过往消费电子周期的新增长阶段。
* 潜在风险：当前行业的繁荣建立在“需求远超供给”的基础上。未来需密切关注：1) 各大厂商的产能扩张速度，若供给过快增加可能破坏供需平衡；2) 新一代制程技术（如HBM4）的良率爬坡是否顺利；3) AI服务器建设的实际进度与需求强度是否可持续；4) 地缘政治等因素对全球半导体供应链的潜在干扰。
正文：
美光公司发布了2026财年第一季度的财务业绩，多项指标显著超越市场预期。当季营收为136.4亿美元，同比增长57%，环比增长21%，不仅超出公司122亿至128亿美元的指引区间，也比市场预期高出近7亿美元。调整后每股收益（EPS）达到4.78美元，大幅高于市场预期的3.95美元。非美国通用会计准则（Non-GAAP）毛利率飙升至56.8%，同比提升17.3个百分点，环比提升11.1个百分点。运营现金流为84.1亿美元，调整后自由现金流达到创纪录的39.1亿美元。
公司同时宣布，将2026财年的资本开支计划从180亿美元上调至200亿美元，并预计2027财年将继续增加资本投入。
从产品结构看，DRAM业务是主要收入来源，营收为108亿美元，占总营收的79%，环比增长20%。该业务增长主要由平均销售价格（ASP）环比上涨约20%驱动，比特出货量仅小幅增长。NAND业务营收为27亿美元，占总营收20%，环比增长22%，呈现比特出货量与ASP“量价齐升”的态势。其中，高带宽内存（HBM）的需求尤为强劲，美光2026年的HBM产能已全部售罄，且已与客户提前锁定数量和价格。公司的HBM4产品预计将在2026年第二季度以高良率进入量产阶段。
行业数据显示，存储行业正经历强势复苏。韩国三星电子记忆体部门和SK海力士预计其第四季度毛利率将达到63%至67%，有望七年来首次超越台积电约60%的毛利率水平。市场预测指出，2025年HBM市场规模约为350亿美元，到2028年有望增长至1000亿美元，年复合增长率约40%。
分析指出，本轮存储行业的复苏与以往周期不同，其核心驱动力不再是个人消费电子需求，而是企业级人工智能（AI）资本开支。AI数据中心对存储的需求广泛且深入，不仅推动HBM价格在年内大幅上涨，也带动了包括DDR4内存、消费级与企业级SSD在内的全品类存储产品价格上涨。这种全品类普涨的局面在行业历史上较为罕见。
在供给端，存储行业面临产能限制。预计2026年行业DRAM和NAND的比特出货量增长均受供应制约，同比增长约20%，低于需求增速。由于晶圆厂调整产品组合的周期较长（前端约3.5个月，后端6-8周），供不应求的状况预计将持续至2026年及以后。制造商需要在HBM与传统DRAM、数据中心与其他应用市场之间进行产能分配，整体供应持续紧张。
对于未来，有几个关键因素将决定行业增长的可持续性：
1. 业绩指引的兑现：美光对下一季度（FY26Q2）给出了乐观指引，预计调整后营收中值约为187亿美元，调整后每股收益约为8.42美元，非GAAP毛利率约为68%，均远高于市场当前预期。能否实现这些目标至关重要。
2. 产能与技术进展：在新工厂产能于2027年及以后释放之前，现有工厂的制程转换与效率提升是关键。具体包括DRAM的1-gamma节点、NAND的232层节点能否顺利量产，以及HBM4的良率提升速度与产能兑现情况。
3. 长期的供需与价格平衡：短期内，AI需求和高附加值产品对产能的挤占将继续支撑价格上涨。长期来看，随着厂商扩产，2027年后行业供给将增加。届时价格走势取决于AI需求的持久性能否消化新增产能。此外，全球半导体供应链的地缘政治风险也需要关注。
有市场预测认为，2025年全球存储市场规模有望达到1932亿美元，创历史新高。
发布时间：2025-12-27T19:20:51+00:00
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