摘要：存储产品现货价格持续上涨，自9月以来DRAM与NAND Flash累计涨幅已超300%。行业分析指出，此轮涨价由AI算力需求爆发及原厂产能向高端产品倾斜共同驱动，业内普遍看涨至2026年。涨价压力已传导至消费终端，小米、戴尔等厂商已上调产品或计划调价，消费电子销量可能阶段性承压。同时，全球存储扩产面临洁净室建设等供应链瓶颈，可能延长供应紧张局面。
线索：本次存储涨价周期呈现出明确的产业传导链条与结构性机会。风险主要集中于消费电子领域，终端产品涨价可能抑制需求，使缺乏供应链优势的中小品牌承压。机会则存在于多个层面：1) 存储原厂与头部模组商：直接受益于产品价格上涨与利润改善，拥有长期协议保障供应或高端产品布局的公司（如三星、美光、江波龙、德明利）更具优势；2) 产业链关键瓶颈环节：洁净室建设已成为产能扩张的核心制约，相关工程与服务供应商需求紧迫；3) 行业集中度提升：成本压力可能加速行业整合，资源进一步向具备规模与供应链控制力的头部品牌集中。
正文：
存储产品涨价趋势仍在持续。2025年12月25日发布的市场趋势报告显示，DDR4、DDR5内存及相关模组价格继续保持上涨态势，尽管单日涨幅较此前略有收窄。分析认为，涨幅收敛并非市场缺货情况缓解，而更可能是部分中间交易商为年底结算而释放库存的短期行为。主要的模组供应商已大幅提高DRAM价格，现货市场价格未见疲软。同时，在合约价格看涨的预期下，NAND闪存现货市场情绪偏向乐观，部分供应商采取惜售策略，导致市场流通货源收紧，晶圆现货价格持续攀升。
数据显示，存储芯片两大主要类别DRAM与NAND Flash的现货价格，自2025年9月以来累计涨幅均已超过300%。此轮价格上涨被认为是AI算力基础设施建设带来的旺盛采购需求，与原厂将产能向高端存储产品倾斜等因素共同作用的结果。行业普遍预计，本轮存储涨价周期将至少持续至2026年。
存储价格上涨的影响已传导至消费电子终端。近期，多家消费电子厂商启动了产品涨价或配置调整。线上销售渠道信息显示，小米多款在售平板电脑价格已上调100至200元人民币。个人电脑市场也开始跟进，戴尔计划对商用产品进行全面价格调整，涨幅区间在10%至30%之间。分析指出，厂商调价或降配表明存储器成本上涨的压力已实质性传递至终端，消费电子销量可能面临阶段性压力，行业资源与定价能力或进一步向具备规模与供应链优势的头部品牌集中。
从供应端看，全球主要存储原厂正将产能重点转向DDR5和HBM等高附加值产品，以满足AI服务器领域的爆发式需求。这导致传统存储芯片市场供应紧张。例如，三星已因DDR4价格大幅上涨而放缓其停产进程，并计划在2026年第一季度与部分服务器客户签订包含“不可取消或更改”条款的长期供货协议。其产能调配策略已调整为“追求最高利润”。
市场机构对2026年第一季度的价格走势保持看涨预期，预测移动设备存储（eMMC/UFS）价格涨幅将达25%至30%，移动内存（LPDDR4X/5X）涨幅或达30%至35%；个人电脑端内存（DDR5/LPDDR5X）涨幅将达30%至35%，客户端固态硬盘（cSSD）上涨25%至30%。
尽管需求旺盛且价格看涨，但全球存储产能扩张面临实际瓶颈。半导体洁净室作为芯片制造的基础设施，其建设要求高、周期长，目前已成为制约产能释放的关键因素。先进制程芯片生产需要ISO 1级的高标准洁净室，全球范围内面临需求激增而供给能力（包括核心工程师）不足的困境，导致部分扩产项目的建设周期可能延长。美光等公司已明确将投资建设新洁净室以提升供应能力。分析指出，HBM需求的增长会挤占更多传统DRAM产能，而洁净室建设的滞后可能使DRAM和NAND行业的供应紧张状况持续到2026年及以后。
多家上市公司在近期投资者交流中谈及存储涨价的影响。深圳华强表示，其存储产品线前三季度出货额同比大幅增长，并认为涨价将持续至2026年。德明利分析称，原厂产能向高端倾斜导致非服务器市场供应紧缺，公司会紧密跟踪价格走势调整策略；长期来看，科技创新将推动消费电子及存储需求持续增长。江波龙指出，AI应用推升了云服务商对高效能固态硬盘的需求，叠加机械硬盘短缺带来的转单效应，推动了闪存需求爆发；公司2025年第三季度营收为65.39亿元人民币，同比增长54.6%，净利润为6.98亿元人民币，同比增长1994.42%。顺络电子则表示，其产品价格随行就市，目前体系相对稳定。
发布时间：2025-12-25 15:22:06
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