摘要：英伟达首席执行官黄仁勋于2025年11月访问台积电，提出对更先进AI芯片的迫切需求，直接推动了台积电在全球范围内的产能扩张。台积电已要求设备供应商缩短交货时间以保障新产能，行业预计设备高需求将持续至2026年第二季度。其扩张计划包括在台湾新竹、高雄及南科建设2纳米产线，扩增3纳米产能，并已在台中启动1.4纳米工厂建设。同时，公司重点投资先进封装（尤其是CoWoS）产能以突破AI芯片瓶颈，并加速美国亚利桑那州等地的海外工厂建设。行业专家预测，基于此扩张计划，台积电2025年资本支出可能达到480亿至500亿美元。
线索：
* 投资机会：台积电激进的资本开支与建厂计划，将直接利好其上游的半导体设备供应商，订单能见度高且需求强劲。此外，为满足AI芯片性能需求，先进封装（CoWoS）成为关键瓶颈和投资重点，相关技术及材料领域存在增长机会。
* 潜在风险：高达近500亿美元的年度资本支出计划对公司的财务构成压力。同时，在全球多地同步推进大规模建厂，将增加运营与管理的复杂性，可能面临技术整合、人才供应及地缘政治等方面的挑战。
正文：
英伟达首席执行官黄仁勋于2025年11月访问台积电，期间明确提出了对更先进AI芯片的迫切需求。此举直接推动了台积电启动新一轮的全球产能扩张计划。
为保障新产能能按计划投入使用，台积电已紧急要求其上游设备供应商缩短交货周期。这一需求迅速传导至整个半导体设备供应链。行业分析预计，相关设备厂商的高强度出货状态将至少持续到2026年第二季度。
在具体的产能建设方面，台积电已全面启动大规模建厂。在台湾地区，公司正集中力量在新竹和高雄建设2纳米制程的生产线；位于台南科学园区的厂区也在同步扩大2纳米产能。对于现有的3纳米制程，台南科学园区18厂正在进行持续的产能扩增。而更为先进的1.4纳米制程工厂，已在台中科学园区正式动工建设。
除晶圆制造外，台积电也将扩张重点投向了“先进封装”领域，特别是CoWoS（芯片-晶圆-基板封装）产能。在AI芯片的发展中，仅依靠提升制程已难以完全满足性能需求，必须通过先进封装技术将处理器与高带宽内存紧密集成。因此，台积电正大力投资建设先进封装产线，以期突破当前制约AI芯片出货的关键瓶颈。
在海外布局上，台积电的建设也在加速。其位于美国亚利桑那州的首座晶圆厂已进入量产阶段，另外两座工厂也正在建设过程中。
基于上述激进的全球扩张计划，行业专家预测，台积电2025年的资本支出有望达到480亿至500亿美元的规模。
发布时间：2025-12-26 07:50:00
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