摘要：三星电子与SK海力士计划将明年HBM3E价格上调接近20%，这一涨价在行业新一代产品上市前较为罕见。涨价背后是供需共同作用：供应端因存储厂商向下一代HBM4倾斜产能，导致HBM3E产能受限；需求端除英伟达外，谷歌、亚马逊等公司的订单也大幅增加。相关预测显示，三星2026年HBM总出货量可能较2025年增长3倍至111亿Gb；美光预计HBM总潜在市场将在2028年达到1000亿美元，2026年资本支出约200亿元；招商证券预计2026年DRAM与NAND资本开支将分别增长14%和5%，产能扩张将优先投向AI高端存储。
线索：本次HBM3E涨价及厂商的产能与资本开支计划，凸显了AI发展对高端存储的强劲需求。投资机会可能集中于在HBM技术领先、产能布局积极的存储厂商，以及受益于AI芯片升级的相关产业链。需关注的风险包括：技术迭代过程中HBM3E需求被HBM4快速替代的可能；资本开支集中于高端存储或导致其他存储品类供应紧张；以及全球半导体周期波动对存储市场价格和厂商盈利的影响。
正文：存储供应商三星电子与SK海力士计划上调明年HBM3E产品的价格，涨幅接近20%。在新一代HBM产品面世前，供应商通常下调前代产品价格，因此此次涨价在业内较为罕见。
涨价的背后是供需两端的共同作用。在供应方面，存储厂商预计明年对第六代HBM（即HBM4）的需求将增加，因此加大了对其的产能投入，这导致当前一代HBM3E的产能受到挤压。在需求方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也出现大幅增长。
具体而言，英伟达的H200芯片每颗搭载6颗HBM3E。搭载HBM3E的谷歌第七代TPU和亚马逊Trainium芯片计划于明年开始出货，这两款产品的HBM搭载量均较其上一代产品增加约20%至30%。其中，谷歌TPU每颗搭载8颗HBM3E，亚马逊Trainium每颗搭载4颗HBM3E。
KB Securities指出，由于ASIC（专用集成电路）需求激增，主要客户为ASIC厂商的三星电子，其2026年HBM总出货量有望较2025年大幅增长3倍，预计达到111亿Gb。该机构还预计，明年HBM市场的营收构成中，HBM4将占55%，HBM3E占45%；并且从明年第三季度开始，HBM4将快速吸收原本对HBM3E的需求。
此外，美光科技在近期的业绩会上也对HBM市场给出了乐观预期。公司高管透露，其2026年（日历年）全年的HBM供应量已在价格和数量上与客户达成协议，并全部售罄。美光预计，HBM总潜在市场规模将在2028年达到1000亿美元（2025年约为350亿美元），期间的复合年增长率约为40%。为支持HBM及1-gamma DRAM的供应，美光预计2026年的资本支出将达到200亿元。
招商证券表示，预计存储产业后续的DRAM和NAND资本开支将会持续增长，但对2026年产能的助力有限。该机构预测，2026年DRAM资本开支同比增长14%，NAND资本开支同比增长5%。在扩产次序上，将优先保障人工智能领域所需的高端存储，NAND类存储的扩产相对靠后。
发布时间：2025-12-24T15:07:15+00:00
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