摘要
报道称，中国已秘密组装出首台EUV光刻机原型，该设备通过对ASML产品的逆向工程，采用激光等离子体（LPP）技术可产生13.5纳米波长的极紫外光。目前该原型机体积大于ASML同类产品，虽能生成极紫外光，但因无法复刻高精度光学系统而未能制造出可用芯片。研发团队由前ASML工程师和大学毕业生组成，计划于2028年试产原型芯片，但外界分析认为2030年更为现实。
线索
此传闻若属实，将代表中国半导体制造领域的技术突围，具备极高的战略价值和潜在投资机会。然而，当前阶段风险远大于确定性。核心线索在于技术瓶颈：从“能产生光”到“能成像”是鸿沟，高精度光学系统是公认的最难点，文中明确指出这是中国原型机尚未跨越的障碍。这表明项目仍处于早期研发阶段，距离商业化生产和应用有很长路要走。投资上，需警惕基于单一传闻的过度乐观，重点应关注光学系统、精密机械等相关供应链企业是否取得实质性、可验证的技术突破，而非概念炒作。项目的成功将重塑全球半导体格局，但其漫长的研发周期、巨大的资金投入和高失败率，使其在现阶段更应被视为一项高风险的国家战略项目，而非近期的商业机会。
正文
一处位于中国的秘密实验室在2025年初于深圳组装完成了第一台极紫外（EUV）光刻系统原型机，该设备目前处于秘密测试阶段，计划在2028年试产原型芯片。
该原型机采用的技术路线是激光等离子体（LPP）技术，可产生波长为13.5纳米的极紫外光。它没有采用基于粒子加速器的稳态微聚束（SSMB）技术，也未使用放电等离子体（DPP）技术。其技术原理与ASML的Twinscan NXE系列光刻机相同，表明其整合了ASML首创的核心技术。
LPP技术的工作原理如下：首先，将直径约25-30微米的熔融锡液滴以每秒约5万个的速度注入真空腔体。接着，一台高功率二氧化碳激光器向每个液滴发射一束低强度的预脉冲激光，将其压平成圆盘状。随后，一束能量更强的主脉冲激光轰击被压平的锡靶，使其汽化并形成温度超过20万摄氏度的超高温等离子体。这种等离子体发射出各向同性的极紫外光，由大型多层膜收集镜系统收集，并导入光刻机的反射光学系统，最终完成对硅晶圆的光刻成像。此过程每秒可重复数万次。
据称，这台中国版EUV光刻机的体积显著大于ASML的同类产品，但已经具备了极紫外光的生成能力。然而，该设备目前尚无法制造出可用的芯片。
其关键瓶颈在于高精度光学系统的研发。目前无法将极紫外光精准地投射到晶圆上完成光刻成像。同时，极紫外光源的功率指标也未明确，这是决定光刻机能否实现量产的核心参数之一。此外，超高精度收集镜系统、照明光学系统、投影光学系统、晶圆存储系统、晶圆工作台、掩模工作台等一系列核心部件的研发进度均属未知。
该研发团队的构成包括前ASML工程师和应届大学毕业生。团队不仅聘请了ASML中国分公司的前员工，还吸纳了ASML在美国、欧洲及中国台湾地区的前雇员。例如，曾负责ASML EUV光源技术的林楠，目前在中科院上海光学精密机械研究所带领团队进行研发，并在18个月内申请了8项EUV相关专利。为保密起见，团队成员普遍使用假身份。
团队的目标是在2028年产出首批芯片原型，但有分析认为2030年是更现实的时间节点。
高端光刻机的研发，依赖于精密光源、先进光学、超高精度机械、复杂控制软件、特种材料等多个领域技术的深度集成。所有系统都必须在纳米级公差范围内长期稳定运行。一台EUV光刻机包含超过10万个零部件，对其进行逆向复刻极具挑战，需要数百名专业工程师协同攻关。
ASML公司对此发表声明称：“想要复刻我们的技术，这一想法可以理解，但真正付诸实践绝非易事。”
发布时间
2025-12-19 13:43
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