摘要
由于AI发展对高带宽内存（HBM）的强劲需求，主要DRAM供应商将产能转向HBM，挤压了DDR4和DDR5的生产。这导致存储市场自2025年第三季度起快速反转，进入卖方市场。例如，DDR4内存价格在数月内上涨了280%。供应商因此重获定价主导权，预计2026年HBM3e价格将上修，其与Server DDR5的价差将从原先的四至五倍缩小至一至二倍。成本压力已传导至PC和智能手机等消费终端，戴尔商用PC涨价10%-30%，手机厂商也面临成本激增。预测显示，2026年全球智能手机出货量将下降2.1%，但平均售价将上涨6.9%，行业呈现“量减价升”态势。
线索
投资机会集中于存储产业链上游，尤其是HBM（高带宽内存）头部供应商。产能倾斜和AI算力需求赋予了三星、SK海力士、美光等寡头前所未有的定价权，其HBM及DDR5产品的利润率将持续扩大，形成至少持续到2027年的“存储超级周期”。主要风险则在于下游消费电子领域。智能手机和PC制造商面临刚性成本上涨，被迫将压力转嫁给消费者，导致“量减价升”的局面。这将严重冲击中低端市场和品牌利润，特别是中国手机厂商（如小米、OPPO、vivo）及PC集成商，其出货量预计下滑，市场份额面临挑战。此外，高度依赖DDR4的工控、安防等B端产业也因价格暴涨而承受巨大经营压力。
正文
2025年5月，NVIDIA率先与三大DRAM供应商就2026年采购进行协商，当时在买方主导市场的情况下，2026年HBM3e的初始采购单价低于2025年水平。
自2025年第三季度起，存储器市场供需情况快速反转。由于AI相关的服务器布局需求优于预期，各大云端服务供应商（CSP）扩大了Server DDR5的备货，并制定了2026-2027年的采购计划，形成了市场缺货格局。DRAM供应商因此大幅提高产品售价。2025年第四季Server DDR5合约价的季增幅度已远超市场预期，其晶圆获利也随之转强。HBM3e价格原先高出Server DDR5四至五倍，预计至2026年末，该差距将缩小至一至二倍。
随着Conventional DRAM获利逐步上升，部分供应商的产能开始向DDR5倾斜，给予HBM3e更大的涨价空间。在GPU与ASIC需求上调后，主要买家均追加HBM3e采购以应对来年的AI系统建设。综合以上因素，供应商重新获得定价主导权，开始调整先前过低的合约价，预计2026年HBM3e整体平均销售价格（ASP）将略微上修。
这轮市场波动的源头是存储颗粒原厂的战略调整。大模型行业迅猛发展，作为算力芯片燃料的高带宽内存（HBM）成为云厂商加大采购的热门方向，存储大厂因此向其倾斜产能。这一变化层层传导，导致PC、手机乃至扫地机等各类硬件产品面临成本上涨。
涨价潮自2025年9月底开始加速。以第四代内存DDR4为例，8G-3200频率、采用海力士或三星颗粒的产品，其价格从涨价前的平均每根70元，上涨至12月17日的平均每根350元，涨幅约280%。作为对比，同期国际金价涨幅约为10%。此轮涨价是全面的，二手拆机、旧货翻新及海外流入的“洋垃圾”内存价格均有上涨。
成本的提升直接影响了PC组装市场。原本2000多元可以配置的入门级电脑，成本上升至3000元。部分PC制造商已开始调价，例如戴尔于12月17日提升了所有商用PC的价格，涨幅在10%到30%之间。市场上还出现了将低成本DDR2产品加配重块伪装成DDR5内存条出售的现象。
智能手机市场同样受到冲击。2025年10月发布的红米K90系列，其12GB+256GB版本定价2599元，而12GB+512GB版本定价3199元，600元的价差引发了关于内存成本上涨的讨论。截至2025年11月中旬，多家手机厂商暂缓了本季度的存储芯片采购，小米、OPPO、vivo等厂商的库存普遍低于两个月，部分厂商DRAM库存低于三周。
上游存储原厂正在经历一个“存储超级周期”。全球存储芯片市场由三星、SK海力士、美光三大巨头主导。自2023年起，这些厂商便嗅到HBM的机遇。SK海力士率先量产第五代HBM产品并获得英伟达订单，三星和美光也相继进入英伟达供应链。对高端HBM产品，英伟达需求强劲，2024年一季度，三大厂便宣布当年产能售罄，SK海力士在年中更是宣布2025年产能也已被预订。为满足需求，三星与SK海力士在2024年将超过20%的DRAM生产线转为HBM生产线。存储原厂甚至在与英伟达的谈判中掌握了议价权，2025年11月，SK海力士成功将第六代HBM价格提升逾50%。
在力保HBM供应的同时，DRAM、NAND等品类的产能受到挤压。恰逢DDR内存面临从DDR4到DDR5的换代周期，各大原厂在2025年初纷纷表态，将聚焦附加值更高的DDR5，并计划在2025年底停止DDR4生产。国产存储大厂长鑫存储也计划最迟于2026年上半年全面停止DDR4供货。这是DDR4涨势尤为迅猛的核心原因。
根据行业分析，此轮由AI因素驱动的存储周期持续时间面临不确定性。一份报告预测，DRAM供应短缺可能持续到2027年第一季度，NAND短缺可能延续至2026年第三季度。面对这一局面，不同厂商采取了不同策略。一家上市芯片公司的资深采购经理表示，其公司一些机器人客户使用的DDR4型号价格涨至年初的5-6倍，公司正与客户协商，推动产品从DDR4转向DDR5。目前，DDR5的订单排期预计需要五到六个月。
价格上涨的压力已传导至终端消费市场。部分小米、荣耀在售的平板电脑已涨价100-300元。研究机构预测，2026年第一季度存储器价格将迎来显著上涨，对智能手机与笔记本等消费终端的成本与产品策略产生实质性压力。中低端手机将受到严重影响，中端机常见的12GB内存配置或将逐渐消失。
另一份调研机构的预测显示，全球智能手机市场在2026年将面临收缩，呈现“量减价升”的态势。该机构将2026年全球智能手机出货量预测下调约2.6%，预计同比下降约2.1%，几乎所有主要厂商的出货量都将下跌。报告指出，受AI开发带动的半导体与存储芯片需求高涨影响，低端智能手机的物料成本自2025年初以来已累计上涨20%至30%，存储价格预计到2026年第二季度可能再涨约40%，导致整机物料清单（BOM）成本上浮8%至15%。厂商难以自行消化成本压力，势必将部分转嫁给消费者。预计2026年全球智能手机平均售价将同比上涨约6.9%，价格敏感的入门与中低端用户将承受更大压力。所有品牌都将受到影响，但苹果和三星因财务状况和供应链更为稳健，抗压能力较强，预计出货量下滑约2%。相比之下，中国厂商整体承压更重，利润空间被挤压，荣耀出货量降幅可能超过3%。
发布时间
2025-12-18T15:22:04
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