摘要
英特尔已安装全球首套第二代High-NA EUV光刻系统ASML TWINSCAN EXE:5200B，为其14A制程节点的量产铺平道路。该系统标准产能为每小时175片晶圆，目标是优化后超过每小时200片，套刻精度达到0.7nm。这标志着英特尔在先进光刻技术应用上取得关键进展，旨在提升其在晶圆代工领域的竞争力。
线索
英特尔的此次部署是其重夺先进制程领先地位的关键一步，直接利好其晶圆代工业务（IFS）的长期竞争力。率先掌握并优化第二代High-NA EUV设备，若能实现超200片/小时的产能目标，将显著降低单位芯片成本，为吸引尖端客户（如AI、高性能计算领域）提供强大筹码。然而，这其中蕴含着巨大的执行风险：尖端设备的量产爬坡和稳定性挑战极高，任何延误都可能导致成本失控和市场机会窗口的错失。此外，高昂的设备投资对公司的财务构成压力，其最终成效取决于能否在竞争对手（如台积电、三星）跟进前，将技术优势成功转化为市场份额和盈利能力。
正文
英特尔宣布已安装ASML TWINSCAN EXE:5200B光刻系统，这是首套第二代High-NA EUV光刻系统，将用于英特尔14A节点制程。
此前，英特尔于2023年底接收了首套High-NA EUV机型EXE:5000，并在俄勒冈州的Fab D1X工厂完成了早期技术研发与人才储备。此次安装的EXE:5200B在生产力与精度上实现了提升。
英特尔表示，在与ASML的合作下，已验证了该光刻设备在提供改进精度和生产力方面的技术可行性，为High-NA EUV设备未来的批量制造建立了基础。
根据官方资料，EXE:5200B在标准条件下的产能为每小时175片晶圆。英特尔计划通过进一步的系统调整，将产出率提升至每小时200片晶圆以上。
基于英特尔过去一年多的使用经验，新系统将套刻精度提升至0.7nm。
英特尔称，High-NA EUV光刻设备是其晶圆代工中的重要能力。通过结合自身在掩模、蚀刻、解析度增强和计量等相关领域的技能，该公司得以实现当今芯片所需的更精细晶体管细节。
发布时间
2025-12-18 15:28:00
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