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日本DNP研发纳米压印光刻技术,拟2027年量产1.4nm芯片

2025-12-19

摘要

日本大日本印刷株式会社(DNP)宣布开发出10纳米的纳米压印(NIL)技术。该技术采用自对准双重图案(SADP)方法,能够支持1.4纳米工艺的逻辑芯片生产,其能耗据称仅为当前主流工艺的十分之一。DNP公司已与硬件供应商启动技术评估,预计在完成客户验证和建立量产体系后,于2027年开始量产出货,旨在为市场提供一种替代EUV光刻的高精度芯片制造方案。

线索

该技术为半导体制造设备领域带来了潜在的颠覆性机遇,尤其对于寻求降低先进制造成本的芯片制造商而言。若NIL技术能达到与EUV相当的良率和生产效率,其仅为主流工艺十分之一的能耗优势将构成巨大竞争力,可能打破当前EUV光刻机的市场垄断格局。然而,投资风险同样显著。首先,技术从实验室到大规模量产的可行性尚未被证实,良率和产能是关键考验。其次,转换到NIL技术需要对现有生产线和供应链进行重大改造,行业采纳的壁垒较高。最后,2027年的量产时间表存在不确定性,且期间EUV技术自身也在持续进步。因此,该技术的商业成功和投资回报仍面临技术、市场和时间的多重挑战。

正文

日本作为全球第二大光刻机供应商,正积极开发可替代EUV的光刻方案,其技术路线为纳米压印(NIL)技术。日本佳能、尼康等公司此前已展示过相关技术。

日本大日本印刷株式会社(DNP)宣布开发出10纳米的纳米压印(NIL)技术。该技术能够将电路图直接印在基板上,并可用于1.4纳米工艺的逻辑芯片曝光。

在技术细节上,DNP的10纳米纳米压印技术采用自对准双重图案(SADP)技术。通过一次曝光和两次图案转移,能够制造出双倍精度的芯片,以满足先进工艺逻辑芯片的要求。该技术据称在功耗方面具有明显优势,能耗约为当前主流工艺的十分之一。

DNP公司研发NIL技术已超过20年。目前的技术水平已具备部分替代EUV光刻的潜力,可为芯片制造商提供一种高精度工艺生产的替代选择。该公司现已与硬件供应商启动合作,进行技术评估。

DNP公司预计,在完成客户验证并建立量产与供应体系后,将于2027年开始量产出货。

发布时间

2025-12-18 21:43:00

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