摘要
2025年初，中国科学家在深圳成功研制出一台极紫外光（EUV）光刻机原型，该原型已能成功产生EUV光源，但尚未用于生产可运作的芯片。这项被列为中国国家级秘密战略的项目，由前ASML工程师通过逆向工程技术实施，并由华为核心协调数千人的科研网络。其目标是在2028年实现芯片生产，并力争在2030年达成量产，旨在为AI、智能手机及武器系统等尖端领域生产先进芯片，最终摆脱对西方供应链的依赖。
线索
该事件揭示了半导体产业中长期的投资机会与显著风险。机会方面，中国若成功实现EUV国产化，将催生一个庞大且完整的本土供应链，覆盖精密光学、特种材料、高端制造设备及软件等领域，相关产业链上的企业将迎来巨大的发展空间。华为作为核心协调者，其生态合作伙伴有望优先受益。然而，风险同样不容忽视：首先，从光源验证到稳定量产存在巨大的技术鸿沟，2028-2030年的时间表较为激进，技术失败或严重延迟的风险极高。其次，此举必将加剧地缘政治紧张，可能引发美国及其盟友更严厉的技术封锁和制裁，对相关企业的供应链造成冲击。最后，即便成功，初代国产EUV设备在性能和成本上能否与ASML同时代的High-NA EUV技术竞争，仍是未知数，可能仅限于特定非商业领域应用。
正文
2025年初，中国一组科学家在深圳成功打造出一台极紫外光（EUV）光刻机原型。该机器的目标是用于生产尖端半导体芯片，这些芯片将为人工智能（AI）、智能手机以及现代武器系统提供动力。
这台EUV光刻机原型由荷兰芯片设备制造商ASML的前工程师团队参与打造，该团队对ASML的EUV光刻技术实施了逆向工程。目前，这台原型机已能够成功产生EUV光，但尚未进入可运作芯片的生产阶段。根据计划，中国政府的预期是在2028年实现芯片生产，但更有可能到2030年才实现量产。
该项目在中国国家半导体战略框架下运作，被视为一项秘密工程，并由中共高层领导进行监督。华为公司在其中扮演了核心角色，负责协调一个由国家科研院所、供应商和工程团队组成的庞大网络，该网络涉及数千名工作人员。
EUV光刻机是全球芯片制造中最精密的设备之一，它利用极紫外光在硅晶圆上蚀刻出超精细电路，是生产世界上最先进芯片的关键技术。在此之前，这项技术长期由西方供应商主导。中国推动此项技术的最终目标是，使用完全自主研发和制造的国产设备来生产先进芯片，从而摆脱对美国及其盟友供应链的依赖。
与此同时，全球光刻技术也在持续发展。荷兰ASML公司已官宣其High-NA EUV改进方案，并计划在2027年至2028年期间实现量产。英特尔公司已率先接收并开始测试该设备。
发布时间
2025-12-17T06:23:00+00:00
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