摘要
由人工智能（AI）驱动的存储芯片需求激增，导致全球DRAM和NAND闪存出现严重短缺和价格飙升。市场研究机构Counterpoint因此下调预测，预计2026年全球智能手机出货量将同比下滑2.1%，同时平均售价（ASP）将上涨6.9%。PC行业同样面临巨大成本压力，戴尔、联想、惠普等五大厂商均已宣布或计划涨价。存储巨头SK海力士的内部分析警告，通用型DRAM供应短缺状况可能持续至2028年，远超市场预期。为应对危机，消费电子厂商正采取提高售价、降低产品配置（如内存容量）以及提前囤货等多种策略。
线索
本次存储涨价潮的核心驱动力是AI算力需求对高带宽内存（HBM）的吞噬，导致存储厂商将产能从通用型DRAM/NAND转向高利润的HBM，造成了结构性、长周期的供应失衡。
* 投资机会：
1. 存储巨头：三星、SK海力士、美光是直接受益者。它们不仅享有定价权，更通过向定制化HBM（cHBM）、AI DRAM和AI NAND等高附加值产品转型，构建了更深的护城河和更高的盈利能力。SK海力士提出的“全线AI存储创造者”战略，以及与台积电在cHBM上的合作，预示着其技术领先和市场份额的巩固。
2. 前沿技术：为突破“存储墙”，CXL（Compute Express Link）、PIM（存内计算）、HBF（高带宽闪存）等新技术正成为研发焦点。投资于这些技术解决方案的公司，有望在下一代计算架构中占据先机。
* 投资风险：
1. 消费电子品牌：智能手机和PC制造商，尤其是利润微薄的中国品牌（如OPPO、vivo、荣耀）和主打入门级市场的厂商，面临利润率被严重挤压的风险。它们在“涨价伤量”和“降配伤品牌”之间艰难抉择，可能导致市场份额流失。
2. 需求端萎缩：终端产品价格的持续上涨和配置的“反向升级”（如中端机内存从12GB降至8GB），可能抑制消费者的换机意愿，导致整个消费电子市场的出货量不及预期，形成负向循环。
3. 周期性反转风险：当前资本开支正大幅涌向存储领域，若未来AI需求增长放缓，可能导致2028年后出现严重的产能过剩，使存储价格再次暴跌，投资者需警惕这一超级周期后的潜在风险。
正文
一、 市场概况与价格趋势
全球存储市场正经历一场由AI需求引发的供应紧张和价格上涨。金士顿数据显示，2025年第一季度至今，NAND闪存价格累计上涨约246%，其中70%的涨幅集中在过去60天内。DRAM内存颗粒的合约价同比涨幅已达171%。金士顿数据中心SSD业务经理Cameron Crandall警告，未来30天NAND闪存短缺将加剧，SSD价格将进一步上升。传统机械硬盘（HDD）亦受波及，2025年第四季度合约价格环比上涨约4%，创下过去八个季度最大涨幅。
二、 根本原因与持续时间
此轮“存储荒”的核心原因在于AI基础设施对高带宽内存（HBM）的爆炸性需求。三星、SK海力士、美光等存储巨头已将产能优先转向利润更高的HBM，导致面向消费电子市场的通用型DRAM和NAND供应受限。
SK海力士一份意外曝光的内部分析文件揭示了问题的严峻性，该文件警告通用型DRAM供应短缺状况将持续至2028年。这一预测比瑞银、摩根大通等投行预测的持续至2027年更为悲观。文件指出，头部存储厂商已将战略重心转向AI服务器，消费级产能增长可能性极低。
产能扩张的滞后性加剧了短缺。集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷指出，三大DRAM供货商的新厂建设需两年以上周期，最快要到2027年下半年才能完工，且投产还需两个季度以上调试期，因此2027年年底前新增产能贡献有限。
SK海力士预计，AI服务器在整体服务器市场的份额将从2025年的38%飙升至2030年的53%，持续拉动DRAM需求。
三、 对智能手机市场的影响
市场研究机构Counterpoint Research已将对2026年全球智能手机市场的预测从此前的“大致持平”下调至“同比下滑2.1%”。
* 成本与售价：内存价格飙升已推高整机物料成本（BoM）。入门机型BoM成本较年初高出约25%，中端与高端机型分别上涨约15%和10%。预计到2026年第二季度，内存价格可能再涨40%，导致整机BoM成本再增加8%至15%。Counterpoint预计，2026年全球智能手机平均售价（ASP）将同比增长6.9%，远高于此前预测的3.9%。
* 品牌影响：几乎所有主要手机品牌的出货量都将受到冲击。此前被看好会增长的OPPO和vivo，如今也被修正为下滑；小米和荣耀的出货降幅被认为将超过预期。Counterpoint高级分析师杨望表示，苹果与三星因在市场份额与利润率间有更大调整空间，处于相对有利位置，而缺乏此类“缓冲余地”的厂商，尤其是多家中国品牌，将面临更艰难的考验。
* 厂商对策：为对冲成本，厂商已开始重构产品线和调整配置。Counterpoint高级分析师白晟豪透露，部分机型已出现对相机模组、潜望式长焦、显示屏规格、音频组件乃至内存容量等关键配置进行下调的情况。TrendForce报告指出，中端机可能放弃12GB内存，主推6GB、8GB版本；入门机则可能弃用8GB，主推4GB版本。这种“反向升级”将影响用户体验，并限制端侧AI功能的部署。
四、 对PC市场的影响
全球五大PC厂商均已确认或计划上调产品价格。
* 厂商行动：
* 戴尔：计划于12月17日起全面提高商用电脑售价，涨幅在10%-30%之间。配备32GB内存的机型每台涨价130至230美元，128GB内存机型每台涨价520至765美元。
* 联想：首席财务官郑孝明表示，将在2026年涨价，并已通过合约、期货等方式囤货，关键元器件库存水平比平常高50%。
* 惠普：首席执行官恩里克·洛雷斯表示，内存成本飙升将迫使公司上调价格，并推出低配置版本。
* 宏碁：董事长陈俊圣指出，2026年一季度产品价格将确定与四季度不同，真正的挑战在二季度报价。
* 华硕：共同执行长胡书宾表示，将依据市场动态机动调整产品组合与售价。
* 成本与传导：宏碁CEO分析，存储产品占笔电BoM成本约8%到10%，尽管其价格在三到四季度涨幅达三到五成，但对总成本的影响约2%至3%。目前整机价格能保持相对平稳，主要得益于OEM/ODM的长期供货合约。但随着合约在2026年第二、三季度重新议价，成本压力将更显著地传导至终端售价。
五、 存储制造商的战略与未来技术
面对AI浪潮，存储巨头正积极布局下一代技术。
* SK海力士的AI存储战略：SK海力士CEO郭鲁正宣布了“全线AI存储创造者”的愿景，产品路线图涵盖至2031年，核心包括：
1. 定制化HBM：从HBM4E开始供应定制化HBM，将协议和控制器移至HBM基础裸片，为计算单元释放空间并降低能耗。公司已收到苹果、微软、谷歌、亚马逊、Nvidia、Meta和特斯拉的定制请求。
2. AI DRAM (AI-D)：包括优化方向的MRDIMM、SOCAMM2，突破方向的CMM（CXL内存模块）、PIM（存内计算），以及扩展方向的应用于机器人、移动端等。
3. AI NAND (AI-N)：包括性能、带宽和密度三个方向。其中，与西部数据共同开发的HBF（高带宽闪存）技术，旨在结合HBM堆叠结构与高密度NAND，样品预计2026年下半年推出。
* 行业竞争格局：三星电子和美光同样在布局定制化HBM。三星计划在HBM4基底芯片中集成客户自有IP；美光则表示HBM4e将体现其业务范式的转变。Meta和英伟达正与SK海力士、三星探讨在HBM基底芯片中嵌入GPU核心的方案。
六、 更广泛的市场影响
存储短缺的影响已超越DRAM和SSD，蔓延至整个存储产业链。NAND闪存在SSD物料成本中占比高达90%，上游价格的任何波动都会被快速、放大地反映到终端产品上。AI公司因机械硬盘（HDD）产能跟不上海量数据需求，开始囤积固态硬盘，进一步推高了SSD价格。业内普遍预期，短期内无论是SSD还是HDD，价格都将持续承压。
发布时间
2025-12-16 13:26:00
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