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存储行业入超级周期,AI推升DRAM价格与市值

2025-12-17

摘要

全球存储芯片市场正经历由AI需求驱动的超级周期,DRAM和NAND Flash现货价格自2025年9月以来累计上涨超过300%。AI应用从训练转向推理,推动“以存代算”技术兴起,导致AI服务器对DRAM需求达普通服务器的8倍、NAND Flash达3倍。存储巨头三星、SK海力士和美光调整产能策略,优先生产高利润的HBM和数据中心DRAM,挤压消费电子产能,引发结构性短缺。摩根大通预测2026年DRAM价格暴涨53%,存储巨头市值2027年将达1.5万亿美元;消费电子端,2026年手机、电脑等涨价已成定局,中端手机可能降配至6GB/8GB内存。

线索

投资机会:存储芯片制造商(如三星、SK海力士、美光)因AI需求和高利润率(HBM利润率60-70%)受益,市值增长空间超50%;消费电子ETF(如561600)受AI终端创新(如XR眼镜)和电池需求提振,长期潜力显著。风险:消费电子涨价(预计涨幅20%)可能抑制需求,供应链紧张持续至2027年;存储产能扩张缓慢(新厂需3-4年),供需缺口(2026年5%)加剧价格波动,中小厂商面临份额挤压(三星留给中小厂商HBM份额不足10%)。

正文

存储市场涨价驱动因素

2025年三季度以来,存储芯片市场进入超级周期,DRAM和NAND Flash现货价格自9月累计上涨超过300%。核心驱动因素为AI应用从训练转向推理,催生“以存代算”技术,该技术通过优化数据存储减少对昂贵显存的依赖,降低延迟和成本。AI服务器对DRAM需求量为普通服务器的8倍、NAND Flash为3倍,且AI服务器存储产品利润率更高(如LPDDR5溢价为智能手机的1.5倍)。供需失衡引发恐慌性采购和囤货行为,放大价格涨幅。

存储巨头产能调整策略

  • 三星电子:计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能下调30%-40%,转而投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产,每月新增约8万片晶圆产能。此举基于利润考量:HBM3E利润率仅30%(因定价低、良率问题),而通用DRAM(如DDR5)利润率超60%。三星还将平泽和华城园区部分NAND闪存产线改造为DRAM产线,聚焦数据中心大容量DDR5及LPDDR5X产品。同时,三星加速1c纳米制程研发,计划2026年第二季度HBM4产能提升至每月14万片晶圆,第四季度至20万片。

  • SK海力士:HBM产能已售罄至2026年底,市场份额超50%。计划将第六代10纳米DRAM(1c DRAM)月产能从约2万片提升至16万-19万片,增幅8-9倍,占DRAM总产能三分之一以上,主要用于生产GDDR7和SOCAMM2产品,满足英伟达等订单。SK海力士M15X晶圆厂预计2025年底量产1b DRAM,初期月产能3.5万片,用于HBM3E核心芯片。HBM业务利润率约60%,2026年HBM销售额预计40万亿-42万亿韩元,营业利润25万亿韩元,较2025年增长50%。

  • 美光科技:终止移动NAND产品开发和消费级品牌Crucial,将产能重新分配至高利润的HBM/企业级DRAM和SSD产品。数据中心存储芯片毛利率42%,消费级仅14%。美光新建多个工厂:台湾A5工厂扩大HBM堆叠能力;美国ID1晶圆厂2027年上半年投产;ID2晶圆厂第二阶段建设加速;日本广岛工厂2026年建设HBM相关产能。美光与英伟达签3年供货协议,年供至少120万颗HBM芯片;谷歌、亚马逊等提出“无限期订单”。美光计划2026年小批量交付HBM4,并逐步停产DDR4。

市场影响与预测

  • 价格与供需:摩根大通预测2026财年DRAM平均售价暴涨53%,NAND上涨30%;2027财年DRAM微涨1%,NAND回调6%。HBM供需缺口8%-12%将持续至2027年,HBM占DRAM总产能比例从2025年19%升至2027年28%。常规DRAM产能2026年预计同比下降,位元出货量增长受限在20%以下。
  • 消费电子冲击:存储占手机、电脑BOM成本10%-20%。2026年智能手机和笔电生产出货量预计分别年减2%及2.4%。中端智能手机将放弃12GB内存,主推6GB/8GB版本;低端机主推4GB;高端机维持12GB/16GB。戴尔、惠普、联想等已通知客户新报价上调最高20%。企业应对策略包括结构性涨价、降配、与供应链共担成本、产品错峰发布(如旗舰机延至第二季度)。
  • 投资与产业链:存储巨头总市值近1万亿美元,摩根大通预测2027年达1.5万亿美元。消费电子ETF(如561600)受AI终端创新(如XREAL与谷歌合作Android XR眼镜)和电池需求提振,端侧AI设备推动消费类锂电池量价齐升。供应链重塑中,存储模组厂暂停出货并重新评估报价,国产替代加速。

技术与产能挑战

存储扩产周期漫长(需3-4年),新厂2028年后才能缓解短缺。HBM生产复杂、良率爬升慢,挤压通用DRAM产能。三星以1b制程提升通用DRAM效率,SK海力士以1b制程为HBM基石,美光通过产线改造聚焦高端。AI推理需求(内存消耗为训练3倍)和“双轨制”定价(B2B端坚挺、B2C端下行)将持续影响市场。

发布时间

2025-12-15T10:52:06+00:00

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