数据：
台积电2nm晶圆价格突破3万美元，SRAM良率达90%。预计2025年底生产数万片晶圆。
线索：
随着半导体技术的不断进步，台积电的2nm制程成本显著上升，这可能导致相关厂商的产品价格上升，对消费者造成影响。投资者应关注台积电在高端芯片市场的潜在收益，同时也需警惕新技术带来的生产及竞争风险。
正文：
近年来，台积电逐步提升其最先进半导体工艺节点的价格。根据分析，单个晶体管的成本在十多年来并未下降，受关税及研发成本上升的影响，价格进一步上涨。这一现象强化了摩尔定律失效的观念。
据《商业时报》报道，台积电即将推出的N2 2nm半导体每片晶圆的价格达到3万美元，比其3nm芯片价格高出约66%。预计在未来，制造成本将继续上升，并可能仅提供给大型制造商。台积电为2nm制程工厂的巨额建设成本（可能达到7.25亿美元）解释了这一涨价趋势。
尽管价格上升，预计苹果、AMD、高通、博通和英伟达等主要厂商依然将在年底前下单，可能促使台积电位于亚利桑那州的2nm工厂达到满负荷生产。苹果预计将首批采用这项技术，iPhone 18 Pro搭载的A20处理器将是首款基于N2工艺的芯片，英特尔的Nova Lake处理器也将采用此工艺，预计明年推出。
先前报道显示，台积电2nm制程的良率去年已达60%，并持续提升。目前，256Mb SRAM的良率已超过90%，试产工作可能已经开始，计划在今年晚些时候进入量产阶段。
随着基于2nm设计的流片量超过先前节点，台积电计划到2025年底生产数万片晶圆。此外，台积电还将于明年下半年推出N2P和N2X，以延续其技术优势，预计N2P在相同功耗下性能将提升18%，能效将提高36%，逻辑密度也大幅增强。N2X的量产计划在2027年，其最高时钟频率将提高10%。
随着半导体尺寸不断缩小，漏电问题日益严重。台积电的2nm节点将采用全栅(GAA)晶体管架构，以更精准地控制电流。此外，在2nm之后的埃时代，台积电将采用背面供电技术以进一步提升性能，未来节点如A16（1.6nm）和A14（1.4nm）的晶圆成本可能高达4.5万美元。
与此同时，英特尔的目标是超越台积电的技术路线图，最近开始风险生产其A18节点，该技术同样具备环绕栅极和背面供电，预计将于今年晚些时候首次用于英特尔新的Panther Lake笔记本电脑CPU。
发布时间：
2025-06-03 10:28:00
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