数据：
SK海力士展示了12层HBM4样品，预计下半年开始量产。
线索：
SK海力士的技术突破显示了高带宽存储芯片在人工智能及高性能计算领域的强烈需求，尤其是与英伟达的合作关系。随着市场对更快、更高效内存解决方案的需求增加，相关技术的不断创新可能带来投资机会，尤其是在半导体行业。与此同时，技术突破也可能带来竞争风险，尤其是其他厂商如台积电可能会加大研发投入。
正文：
韩国半导体巨头SK海力士在2025年3月19日宣布，已向英伟达等主要客户交付其第六代高带宽存储芯片产品12层HBM4的样品。这标志着先进内存解决方案竞争的一大进展。12层HBM4具有满足人工智能存储所需的极高速度和最高容量，业界将其称为“技术奇迹”。该产品每秒能够处理超过2TB的数据，相当于在一秒内处理400多部全高清电影的数据，速度比上一代HBM3E快60%以上，这得益于数据传输通道数量从1,024增加到2,048。
此外，SK海力士12层HBM4的开发代表了与台积电合作的第一成果，台积电的能力使得HBM4底部数据的移动得以控制。SK海力士的首席营销官Kim Joo-sun指出，该公司一直在克服技术限制以满足客户需求，强调了公司的创新承诺。
SK海力士自第三代产品HBM2E起便采用先进的MR-MUF工艺，成功实现了36GB的容量，并提高了产品的散热和稳定性，从而解决了大容量存储器生产中的技术挑战。自2022年发布HBM3以来，SK海力士在HBM市场保持领先，并在2024年成功量产第五代HBM3E的8层和12层产品。
公司计划在2025年下半年完成12层HBM4的批量生产。应英伟达首席执行官黄仁勋的要求，12层HBM4的生产计划比原定提前了6个月，显示出市场对尖端存储技术的日益增长需求。SK海力士与英伟达的稳定合作进一步证明了人工智能和高性能计算技术成长带动了存储需求的提升。由于英伟达在GPU和人工智能领域的领先地位，加速的产出计划反映了对高效内存解决方案的迫切需求。
发布时间：
2025-03-19 15:32:05
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